АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ФОТОПРИЕМНЫЕ ПРИБОРЫ
Ключові слова:
электроны высокой энергии, оптоэлектронные приборные структуры, центры окраски, фоторезистор, защитные экраны, радиационные дефектыАнотація
Воздействие жесткого излучения (гамма-лучей, электронов высокой энергии, нейтронов, ионов) на полупроводниковые материалы вызывает квазистабильные изменения их свойств, связанные с образованием первичных радиационных дефектов-вакансий, междуузельных атомов, разупорядоченных областей, взаимодействия которых с разлиxными несовершенствами структуры (например, растворенными примесями) приводит к формированию широкого набора активных центров.
В данной работе проведено изучение влияния облучения быстрыми электронами на два важных для фоторезисторов параметра: темновой ток и темновое сопротивление.
Измерение темнового тока и темнового сопротивления проводили без предварительного облучения фоторезистора излучением лазера ЛГ-74.
В работе учитывается, что при длительной эксплуатации материалов после облучения есть возможность появления пост-эффектов. При этом характеристики изделий будут непрерывно изменяться в течение длительного времени, вследствие чего они могут выйти за пределы допустимых значений или разрешенных отклонений. Наличие пост-эффектов затрудняет получение воспроизводимых результатов при радиационных испытаниях некоторых материалов и снижает достоверность сведений о допустимых сроках эксплуатации изготовленных из них изделий. Направление и глубина протекания процессов, обуславливающих появление пост-эффектов, зависят от природы материалов, их структуры, технологии получения. Степень их влияния на эксплуатационную надежность аппаратуры определяется ее конструкционными особенностями.
При анализе стойкости оптоэлектронных приборных структур принимались во внимание и температурные режимы. Так, радиационные дефекты, возникающие при низкотемпературном облучении в материалах охлаждаемых фотоприемников, практически полностью устраняются при повышении температуры до комнатной, а периодический нагрев в процессе эксплуатации полупроводникового материала преобразователей солнечной энергии способствует отжигу в нем радиационных дефектов.
