МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КРИТИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Анотація

Проблемы получения и исследования структурированных функциональных материалов микроэлектроники, имеющих оптимальные свойства для реализации практических задач, являются актуальными в настоящее время. При определенных условиях в многокомпонентных твердых растворах полупроводников возможно формирование периодических пространственных структур. Для твердых растворов  были определены матрицы высших производных свободной энергии Гиббса со второй по восьмую включительно, что позволило рассчитать сечения пространств сосуществования фаз различных порядков, был проведен анализ полученных результатов моделирования.