ДОСЛІДЖЕННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ І РОЗРОБКА МЕТОДІВ РАДІАЦІЙНОЇ МОДИФІКАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ ОПТОЕЛЕКТРОНІКИ

Анотація

Експлуатація виробів твердотільної електроніки в полі іонізуючих випромінювань може істотно змінювати їх властивості, сприяючи передчасному руйнуванню або втраті необхідних для нормальної роботи апаратури технічних характеристик. Спостерігаються у своїй зміни або зумовлюються низкою специфічних процесів, розглянутих вище. Розрізняють оборотні та незворотні зміни. До необоротних (залишкових) відносять радіаційні зміни, що зберігаються частково або повністю після припинення опромінення. Величина радіаційних змін визначається кількістю енергії, що поглинається матеріалами при взаємодії з випромінюванням, а також швидкістю, з якою ця енергія передається. Вона залежить від виду випромінювання та його параметрів (енергетичного спектра, щільності потоку, інтенсивності та ін.), а також від ядерно-фізичних характеристик матеріалів. Критерії радіаційної стійкості пристроїв, що фотоприймають. Критерій параметричної надійності пристроїв, що фотоприймають сформульований, виходячи з того, що об'єкт, що розглядається, погіршує свої параметри поступово як при збільшенні тривалості впливу, так і дози випромінювання. Призначення пристроїв, що фотоприймають, обмеження, що накладаються на критерій їх працездатності, а також фізика впливу радіації дозволяють розглядати пристрої, що фотоприймають як об'єкт, що функціонує в умовах шуму. Це дозволяє застосувати статистичні методи аналізу. За такого підходу ми можемо використовувати добре вивчений математичний апарат перевірки статистичних гіпотез.
Пропонуються три критерії радіаційної стійкості фотоприймальних пристроїв. Перший – відношення сигнал/шум у трактуванні достатніх статистик, другий – критерій середньої помилки виявлення (критерій Котельникова) та третій – критерій Байєсовського ризику.
У цій статті розглянуто фізичні процеси та розробку методів радіаційної модифікації параметрів приладів напівпровідникових приладів оптоелектроніки.